三星量产3纳米产品

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三星高层展示3纳米制程产品。（三星集团网站）

韩国半导体产业界迎来“逆袭”全球半导体代工冠军——台积电的重要契机。据韩国《每日经济》7月2日的报道，随着6月30日三星电子全球首次开始量产3纳米全环绕栅极（GAA）制程工艺节点芯片，外界开始预测三星电子与台积电的未来竞争格局。韩国业内评估认为，三星电子抢先引入最新工艺技术为赶超台积电打下基础，台积电与三星电子现有的技术差距“无法轻易弥补”。
市场研究机构集邦咨询最新的数据显示，今年第一季度台积电在全球半导体代工销售中的份额为53.6%，约为三星（16.3%）的三倍。但随着首次开始量产3纳米芯片，三星电子加快追赶步伐。凭借新技术，三星将通过争取苹果、英特尔和 AMD等潜在客户来缩小与台积电的差距。韩国《朝鲜日报》的报道称，相较于之前最先进5纳米量产工艺，三星的3纳米工艺可节约45%电力，产品性能提高23%。

  
2 A$ K& w$ r$ E9 S: w/ y/ x4 m1 c三星的技术进步引起台媒关注，台湾联合新闻网7月2日报道称，台积电要等到2023年才会开始生产3纳米制程芯片产品，预期三星将会利用技术优势抢先争取更多代工客户。目前，台积电的尖端工艺是4纳米制程，并在这一级别上拥有全球最高量产制造水平。
. Q4 i9 K/ d( P' x) e* X台媒同时强调，虽然三星率先宣布实现3纳米制程量产，但如果不能稳定和按时供货，便无法夺取市场。尤其在此前的4纳米工艺上，三星电子的投入产出率（合格品所占比例）被指不及台积电。此前三星凭借5纳米制程技术代工的美国高通公司处理器暴露出容易过热的问题，高通后续处理器换成台积电5纳米制程技术后，发热控制表现较好，因此市场对于三星3纳米制程技术存在质疑。有分析认为，能否在短期内将投入产出率提上来将成为三星电子与台积电竞争的关键。

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